GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT是一种适合高电压、大电流应用的理想晶体管。IGBT的额定电压范围为400V至2000V，额定电流范围为5A至1000A，IGBT广泛用于工业应用（例如，逆变器系统和不间断电源（UPS））、消费类应用（例如，空调和电磁炉），以及车载应用（例如，电动汽车（EV）电机控制器）。

作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛应用于工业、4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。

IGBT电路是负责变频器功率输出的部分。通常包含IGBT模块和IGBT的触发电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片，根据使用IGBT模块型号，有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路。