拉单晶专用镓掺杂剂（Ga Dopant）

镓为IIIA族元素，原子量为69.72，英文名称为Gallium,简称Ga。镓质软，淡蓝色光泽。熔点29.78℃。沸点2403℃。具有、不挥发、不燃、不爆炸等特性。是硅半导体掺杂的重要元素。

光衰减率≤2％属于检测范围内，可视为无衰减。正如拉制无位错单晶并非是零位错的，而是位错密度≤3000CM-2的单晶可视为无位错的。

用镓代替硼作为掺杂剂来拉制太阳电池单晶，可以提高电池的转换效率和降低光衰减问题（因为避免了硼氧复合体－严重影响光衰减率的深能级的产生）。

本公司提供进口拉单晶专用镓掺杂剂，包括以下品种：

7N进口拉单晶专用镓掺杂剂

8N进口拉单晶专用镓掺杂剂

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